BSC0901NSIATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-6
基本製品番号	BSC0901
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	28A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	20 nC @ 15 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2600 pF @ 15 V
消費電力(最大)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
その他の名前	BSC0901NSI BSC0901NSICT BSC0901NSIATMA1DKR BSC0901NSIDKR BSC0901NSIATMA1TR BSC0901NSITR-ND BSC0901NSIATMA1CT SP000819818 BSC0901NSIDKR-ND BSC0901NSICT-ND BSC0901NSI-ND