LND150N3-G-P003
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
NOVA部品番号:
312-2272490-LND150N3-G-P003
製造メーカー部品番号:
LND150N3-G-P003
ひょうじゅんほうそう:
2,000
技術データシート:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
| 基本製品番号 | LND150 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 30mA (Tj) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 0V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | - | |
| FETの特徴 | Depletion Mode | |
| パッケージ・ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 500 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 10 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 740mW (Ta) | |
| その他の名前 | LND150N3-G-P003CT LND150N3-G-P003-ND LND150N3-G-P003TR LND150N3-G-P003DKR-ND LND150N3-G-P003DKRINACTIVE LND150N3-G-P003DKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
LND150K1-GMicrochip Technology
2N7008-GMicrochip Technology- LND150N3-GMicrochip Technology