TK290P65Y,RQ

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	DPAK
基本製品番号	TK290P65
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	DTMOSV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	11.5A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	290mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 450µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	25 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±30V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	650 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	730 pF @ 300 V
消費電力(最大)	100W (Tc)
その他の名前	TK290P65Y,RQ(S TK290P65YRQDKR TK290P65YRQCT TK290P65YRQTR TK290P65YRQ(S

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