TK100S04N1L,LQ

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	DPAK+
基本製品番号	TK100S04
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	U-MOSVIII-H
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	100A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 500µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	76 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	5490 pF @ 10 V
消費電力(最大)	100W (Tc)
その他の名前	TK100S04N1LLQDKR TK100S04N1LLQCT TK100S04N1LLQTR TK100S04N1L,LQ(O

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