SI8416DB-T2-E1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	6-Micro Foot™ (1.5x1)
基本製品番号	SI8416
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	16A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.2V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	800mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	26 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	6-UFBGA
Vgs (最大)	±5V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	8 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1470 pF @ 4 V
消費電力(最大)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
その他の名前	SI8416DB-T2-E1-ND SI8416DB-T2-E1DKR SI8416DB-T2-E1CT SI8416DB-T2-E1TR

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