FQB34P10TM

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MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

NOVA部品番号:

312-2273631-FQB34P10TM

製造元:

製造メーカー部品番号:

FQB34P10TM

ひょうじゅんほうそう:

800

技術データシート:

P-Channel 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	onsemi
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	D²PAK (TO-263)
基本製品番号	FQB34P10
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	QFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	33.5A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	60mOhm @ 16.75A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	110 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±25V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2910 pF @ 25 V
消費電力(最大)	3.75W (Ta), 155W (Tc)
その他の名前	FQB34P10TM-ND FQB34P10TMTR FQB34P10TMCT 2156-FQB34P10TM-OS FQB34P10TMDKR ONSONSFQB34P10TM