CSD25213W10
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
NOVA部品番号:
312-2264886-CSD25213W10
製造メーカー部品番号:
CSD25213W10
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 20 V 1.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 4-DSBGA (1x1) | |
| 基本製品番号 | CSD25213 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 47mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.1V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 4-UFBGA, DSBGA | |
| Vgs (最大) | -6V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 478 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 1W (Ta) | |
| その他の名前 | 296-40004-6 CSD25213W10-ND 296-40004-2 -296-40004-1-ND 296-40004-1 |
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