BS170-D27Z

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	onsemi
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-92-3
基本製品番号	BS170
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 1mA
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	40 pF @ 10 V
消費電力(最大)	830mW (Ta)
その他の名前	BS170_D27Z BS170_D27ZDKRINACTIVE BS170_D27ZDKR-ND BS170-D27ZTR BS170_D27ZCT BS170_D27ZDKR BS170-D27ZDKRINACTIVE BS170_D27Z-ND BS170_D27ZTR BS170_D27ZDKRINACTIVE-ND BS170-D27ZCT BS170_D27ZTR-ND BS170_D27ZCT-ND

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