IMBG120R030M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
NOVA部品番号:
312-2299892-IMBG120R030M1HXTMA1
製造メーカー部品番号:
IMBG120R030M1HXTMA1
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-7-12 | |
| 基本製品番号 | IMBG120 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | CoolSiC™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 56A (Tc) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 41mOhm @ 25A, 18V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5.7V @ 11.5mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 63 nC @ 18 V | |
| FETの特徴 | Standard | |
| パッケージ・ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (最大) | +18V, -15V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2290 pF @ 800 V | |
| 消費電力(最大) | 300W (Tc) | |
| その他の名前 | 448-IMBG120R030M1HXTMA1DKR 448-IMBG120R030M1HXTMA1CT 448-IMBG120R030M1HXTMA1TR SP004463784 |
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