BSC0502NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
NOVA部品番号:
312-2288073-BSC0502NSIATMA1
製造メーカー部品番号:
BSC0502NSIATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 30 V 26A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-6 | |
| 基本製品番号 | BSC0502 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.3mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1600 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 43W (Tc) | |
| その他の名前 | BSC0502NSIATMA1CT BSC0502NSIATMA1DKR SP001288142 BSC0502NSIATMA1-ND BSC0502NSIATMA1TR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
NX3008NBKW,115Nexperia USA Inc.
PCA9655EDTR2Gonsemi
BZG03C62-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon Technologies
TLV6700QDSERQ1Texas Instruments
EEH-ZF1V101VPanasonic Electronic Components
BSC016N06NSATMA1Infineon Technologies
LM74800QDRRRQ1Texas Instruments
