IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
NOVA部品番号:
312-2283614-IPB110N20N3LFATMA1
製造メーカー部品番号:
IPB110N20N3LFATMA1
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-3 | |
| 基本製品番号 | IPB110 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ 3 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 88A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 11mOhm @ 88A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.2V @ 260µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 76 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 650 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 250W (Tc) | |
| その他の名前 | SP001503864 IPB110N20N3LFATMA1DKR IPB110N20N3LFATMA1TR IPB110N20N3LFATMA1CT IPB110N20N3LFATMA1-ND |
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