C3M0065100J-TR
SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
NOVA部品番号:
312-2313967-C3M0065100J-TR
製造元:
製造メーカー部品番号:
C3M0065100J-TR
ひょうじゅんほうそう:
1,600
技術データシート:
N-Channel 1000 V 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263-7 | |
| 基本製品番号 | C3M0065100 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | C3M™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 78mOhm @ 20A, 15V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 5mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 35 nC @ 15 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (最大) | +15V, -4V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1000 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 660 pF @ 600 V | |
| 消費電力(最大) | 113.5W (Tc) |
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