NTD4979N-35G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
NOVA部品番号:
312-2301908-NTD4979N-35G
製造元:
製造メーカー部品番号:
NTD4979N-35G
ひょうじゅんほうそう:
75
技術データシート:
N-Channel 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole I-PAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | I-PAK | |
| 基本製品番号 | NTD4979 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 41A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 837 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) | |
| その他の名前 | ONSONSNTD4979N-35G 2156-NTD4979N-35G-OS |
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