IXTT3N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 3A TO268
NOVA部品番号:
312-2279872-IXTT3N200P3HV
製造元:
製造メーカー部品番号:
IXTT3N200P3HV
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
N-Channel 2000 V 3A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXTT)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-268HV (IXTT) | |
| 基本製品番号 | IXTT3 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Polar P3™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 8Ohm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 2000 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1860 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 520W (Tc) | |
| その他の名前 | -IXTT3N200P3HV |
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