IPD80R2K7C3AATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	D-Pak
基本製品番号	IPD80R2
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	2A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.9V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	1.5 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	800 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	290 pF @ 100 V
消費電力(最大)	42W (Tc)
その他の名前	INFINFIPD80R2K7C3AATMA1 2156-IPD80R2K7C3AATMA1 SP001065818 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR IPD80R2K7C3AATMA1-ND 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT