NVMFS5C612NWFT1G
MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN
NOVA部品番号:
312-2297539-NVMFS5C612NWFT1G
製造元:
製造メーカー部品番号:
NVMFS5C612NWFT1G
ひょうじゅんほうそう:
1,500
技術データシート:
N-Channel 60 V 34A (Ta), 225A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| 基本製品番号 | NVMFS5 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 34A (Ta), 225A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.65mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4900 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 3.8W (Ta), 167W (Tc) | |
| その他の名前 | 488-NVMFS5C612NWFT1GTR 488-NVMFS5C612NWFT1GCT 488-NVMFS5C612NWFT1GDKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- NVMFS5C612NLAFT1Gonsemi
- NTMFS5H600NLT1Gonsemi
- NTMFS5C612NT1G-TEonsemi


