SI4430BDY-T1-E3

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOIC
基本製品番号	SI4430
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	14A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	36 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
消費電力(最大)	1.6W (Ta)
その他の名前	SI4430BDYT1E3 SI4430BDY-T1-E3DKR SI4430BDY-T1-E3CT SI4430BDY-T1-E3TR

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