IPW50R250CPFKSA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO247-3-1
基本製品番号	IPW50R250
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	CoolMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	13A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.5V @ 520µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	36 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-247-3
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	500 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1420 pF @ 100 V
消費電力(最大)	114W (Tc)
その他の名前	2156-IPW50R250CPFKSA1 SP000301162 INFINFIPW50R250CPFKSA1 IPW50R250CP-ND IPW50R250CP

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