DMT10H010LSS-13
MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
NOVA部品番号:
312-2290248-DMT10H010LSS-13
製造メーカー部品番号:
DMT10H010LSS-13
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
N-Channel 100 V 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SO | |
| 基本製品番号 | DMT10 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 9.5mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.8V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3000 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 1.4W (Ta) | |
| その他の名前 | DMT10H010LSS-13DITR DMT10H010LSS-13-ND DMT10H010LSS-13DIDKR DMT10H010LSS-13DICT |
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