SUG90090E-GE3

MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
NOVA部品番号:
312-2292257-SUG90090E-GE3
製造メーカー部品番号:
SUG90090E-GE3
ひょうじゅんほうそう:
500
技術データシート:

N-Channel 200 V 100A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-247AC

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カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Vishay Siliconix
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247AC
基本製品番号 SUG90090
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズThunderFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)7.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 129 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-247-3
Vgs (最大)±20V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 5220 pF @ 100 V
消費電力(最大) 395W (Tc)
その他の名前SUG90090E-GE3DKRINACTIVE
SUG90090E-GE3CTINACTIVE
SUG90090E-GE3DKR
SUG90090E-GE3TR
742-SUG90090E-GE3
SUG90090E-GE3TR-ND
SUG90090E-GE3CT
SUG90090E-GE3CT-ND
SUG90090E-GE3DKR-ND

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