TPN2R903PL,L1Q

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	175°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-TSON Advance (3.1x3.1)
基本製品番号	TPN2R903
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	U-MOSIX-H
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	70A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.1V @ 200µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	26 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerVDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2300 pF @ 15 V
消費電力(最大)	630mW (Ta), 75W (Tc)
その他の名前	264-TPN2R903PLL1QTR 264-TPN2R903PLL1QCT TPN2R903PL,L1Q(M 264-TPN2R903PLL1QDKR

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！