NVBG020N120SC1
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2283955-NVBG020N120SC1
製造元:
製造メーカー部品番号:
NVBG020N120SC1
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
N-Channel 1200 V 8.6A (Ta), 98A (Tc) 3.7W (Ta), 468W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D2PAK-7 | |
| 基本製品番号 | NVBG020 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8.6A (Ta), 98A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 20V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 28mOhm @ 60A, 20V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.3V @ 20mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 220 nC @ 20 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (最大) | +25V, -15V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2943 pF @ 800 V | |
| 消費電力(最大) | 3.7W (Ta), 468W (Tc) | |
| その他の名前 | 488-NVBG020N120SC1CT 488-NVBG020N120SC1DKR 488-NVBG020N120SC1TR |
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