STD12N65M2
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
NOVA部品番号:
312-2278857-STD12N65M2
製造メーカー部品番号:
STD12N65M2
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DPAK | |
| 基本製品番号 | STD12 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | MDmesh™ M2 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±25V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 535 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 85W (Tc) | |
| その他の名前 | 497-15458-2 497-15458-1 497-15458-6 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
STD7NM60NSTMicroelectronics
IXTA06N120PIXYS- STD8N65M5STMicroelectronics
BZX84C11LT1Gonsemi- STD11NM65NSTMicroelectronics
IPD95R750P7ATMA1Infineon Technologies
IPD65R190C7ATMA1Infineon Technologies
CDM7-650 TR13 PBFREECentral Semiconductor Corp
FCD7N60TM-WSonsemi
