NVMYS6D2N06CLTWG

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	onsemi
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	LFPAK4 (5x6)
基本製品番号	NVMYS6
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	17A (Ta), 71A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	6.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2V @ 53µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	20 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1400 pF @ 25 V
消費電力(最大)	3.6W (Ta), 61W (Tc)
その他の名前	488-NVMYS6D2N06CLTWGTR 488-NVMYS6D2N06CLTWGDKR 488-NVMYS6D2N06CLTWGCT

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