IPT026N10N5ATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-HSOF-8-1
基本製品番号	IPT026
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™5
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	27A (Ta), 202A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	6V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2.6mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.8V @ 158µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	120 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerSFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	8800 pF @ 50 V
消費電力(最大)	214W (Tc)
その他の名前	448-IPT026N10N5ATMA1DKR 448-IPT026N10N5ATMA1TR SP003883420 448-IPT026N10N5ATMA1CT

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