TK31V60X,LQ

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	4-DFN-EP (8x8)
基本製品番号	TK31V60
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	DTMOSIV-H
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	30.8A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	98mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.5V @ 1.5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	65 nC @ 10 V
FETの特徴	Super Junction
パッケージ・ケース	4-VSFN Exposed Pad
Vgs (最大)	±30V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	600 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3000 pF @ 300 V
消費電力(最大)	240W (Tc)
その他の名前	TK31V60X,LQ(S TK31V60XLQDKR TK31V60XLQCT TK31V60XLQTR

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