PMXB65UPEZ

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	DFN1010D-3
基本製品番号	PMXB65
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	3.2A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.2V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	3-XDFN Exposed Pad
Vgs (最大)	±8V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	12 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	634 pF @ 6 V
消費電力(最大)	317mW (Ta), 8.33W (Tc)
その他の名前	568-12342-1 568-12342-2 1727-2177-2 1727-2177-1 568-12342-1-ND 1727-2177-6 568-12342-2-ND PMXB65UPEZ-ND 934067151147 PMXB65UPE,147 568-12342-6 568-12342-6-ND