CSD19502Q5B
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
NOVA部品番号:
312-2282837-CSD19502Q5B
製造メーカー部品番号:
CSD19502Q5B
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-VSON-CLIP (5x6) | |
| 基本製品番号 | CSD19502 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.1mOhm @ 19A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4870 pF @ 40 V | |
| 消費電力(最大) | 3.1W (Ta), 195W (Tc) | |
| その他の名前 | 296-37194-1 296-37194-2 CSD19502Q5B-ND -296-37194-1 -296-37194-1-ND 296-37194-6 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- CSD19502Q5BTTexas Instruments
- A6213KLJTR-TAllegro MicroSystems
- BSC037N08NS5ATMA1Infineon Technologies
- SBRD10200TRSMC Diode Solutions
- STPS20M100SG-TRSTMicroelectronics
- SB20150TASMC Diode Solutions
- CSD18543Q3ATexas Instruments
- SN65LVDS1DBVRTexas Instruments
- MBR1H100SFT3Gonsemi










