TJ15S06M3L(T6L1,NQ

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	DPAK+
基本製品番号	TJ15S06
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	U-MOSVI
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	15A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	6V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	50mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	36 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	+10V, -20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1770 pF @ 10 V
消費電力(最大)	41W (Tc)
その他の名前	TJ15S06M3L(T6L1NQ TJ15S06M3LT6L1NQ

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