IPD80P03P4L07ATMA1

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO252-3-11
基本製品番号	IPD80P03
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	80A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	6.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2V @ 130µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	80 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	+5V, -16V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	5700 pF @ 25 V
消費電力(最大)	88W (Tc)
その他の名前	IPD80P03P4L07ATMA1CT IPD80P03P4L-07INCT-ND IPD80P03P4L-07 IPD80P03P4L07 IPD80P03P4L-07INTR-ND SP000396296 IPD80P03P4L-07INDKR IPD80P03P4L-07INCT IPD80P03P4L-07-ND INFINFIPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L-07INDKR-ND 2156-IPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L-07INTR IPD80P03P4L07ATMA1TR IPD80P03P4L07ATMA1DKR