SPD04P10PLGBTMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO252-3
基本製品番号	SPD04P10
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	SIPMOS®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	4.2A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	850mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2V @ 380µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	16 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	372 pF @ 25 V
消費電力(最大)	38W (Tc)
その他の名前	SPD04P10PL G-ND SPD04P10PL GTR SPD04P10PL GDKR-ND SPD04P10PL GCT SPD04P10PL G SPD04P10PLGBTMA1TR SPD04P10PL GDKR SP000212231 SPD04P10PL GTR-ND SPD04P10PLGBTMA1DKR SPD04P10PL GCT-ND SPD04P10PLGBTMA1CT

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