RD3G03BATTL1
PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
NOVA部品番号:
312-2295928-RD3G03BATTL1
製造メーカー部品番号:
RD3G03BATTL1
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
P-Channel 40 V 35A (Ta) 56W (Ta) Surface Mount TO-252
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 35A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 19.1mOhm @ 35A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2100 pF @ 20 V | |
| 消費電力(最大) | 56W (Ta) | |
| その他の名前 | 846-RD3G03BATTL1TR 846-RD3G03BATTL1DKR 846-RD3G03BATTL1CT |
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