SSM3J36TU,LF

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	UFM
基本製品番号	SSM3J36
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	330mA (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.5V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	1.2 nC @ 4 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	3-SMD, Flat Leads
Vgs (最大)	±8V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	43 pF @ 10 V
消費電力(最大)	800mW (Ta)
その他の名前	SSM3J36TULFTR SSM3J36TULFDKR SSM3J36TU,LF(B SSM3J36TULFCT

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