TK200F04N1L,LXGQ

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	175°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-220SM(W)
基本製品番号	TK200F04
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	U-MOSVIII-H
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	200A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	6V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	0.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	214 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	14920 pF @ 10 V
消費電力(最大)	375W (Tc)
その他の名前	TK200F04N1L,LXGQ(O 264-TK200F04N1LLXGQCT 264-TK200F04N1LLXGQDKR 264-TK200F04N1LLXGQTR

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