NTMTSC1D6N10MCTXG
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
NOVA部品番号:
312-2298243-NTMTSC1D6N10MCTXG
製造元:
製造メーカー部品番号:
NTMTSC1D6N10MCTXG
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount, Wettable Flank | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-TDFNW (8.3x8.4) | |
| 基本製品番号 | NTMTSC1 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 35A (Ta), 267A (Tc) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.7mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 650µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 106 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 7630 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 5.1W (Ta), 291W (Tc) | |
| その他の名前 | 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR |
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