C3M0015065D
SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
NOVA部品番号:
312-2265050-C3M0015065D
製造元:
製造メーカー部品番号:
C3M0015065D
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
N-Channel 650 V 120A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-247-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| 基本製品番号 | C3M0015065 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | C3M™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 21mOhm @ 55.8A, 15V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.6V @ 15.5mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 188 nC @ 15 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | +15V, -4V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5011 pF @ 400 V | |
| 消費電力(最大) | 416W (Tc) | |
| その他の名前 | 1697-C3M0015065D -3312-C3M0015065D |
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