BSV236SPH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
NOVA部品番号:
312-2280117-BSV236SPH6327XTSA1
製造メーカー部品番号:
BSV236SPH6327XTSA1
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 560mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-SOT363-6 | |
| 基本製品番号 | BSV236 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 175mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.2V @ 8µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 5.7 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Vgs (最大) | ±12V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 228 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 560mW (Ta) | |
| その他の名前 | BSV236SPH6327XT BSV236SP H6327 SP000917672 BSV236SP H6327TR-ND BSV236SP H6327DKR BSV236SP H6327CT-ND BSV236SPH6327XTSA1CT BSV236SP H6327DKR-ND BSV236SP H6327-ND BSV236SP H6327CT BSV236SPH6327 BSV236SPH6327XTSA1DKR BSV236SPH6327XTSA1TR |
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