IXFB30N120P

MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
NOVA部品番号:
312-2283961-IXFB30N120P
製造元:
製造メーカー部品番号:
IXFB30N120P
ひょうじゅんほうそう:
25
技術データシート:

N-Channel 1200 V 30A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元IXYS
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ PLUS264™
基本製品番号 IXFB30
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズHiPerFET™, Polar
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 30A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 6.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 310 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-264-3, TO-264AA
Vgs (最大)±20V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)1200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 22500 pF @ 25 V
消費電力(最大) 1250W (Tc)

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