DMT6010LPS-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
NOVA部品番号:
312-2263387-DMT6010LPS-13
製造メーカー部品番号:
DMT6010LPS-13
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
N-Channel 60 V 13.5A (Ta), 80A (Tc) 2.2W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 | |
| 基本製品番号 | DMT6010 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta), 80A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 41.3 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2090 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 2.2W (Ta), 113W (Tc) | |
| その他の名前 | DMT6010LPS-13DICT DMT6010LPS-13DITR DMT6010LPS-13DIDKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
ISZ0602NLSATMA1Infineon Technologies
DMT6016LSS-13Diodes Incorporated
RS1L145GNTBRohm Semiconductor
DMTH6010LPSQ-13Diodes Incorporated
DMN6013LFG-7Diodes Incorporated
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
BSC097N06NSATMA1Infineon Technologies- BSC0704LSATMA1Infineon Technologies
FDMS86520Lonsemi- BSC0703LSATMA1Infineon Technologies
