SI3430DV-T1-BE3

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
NOVA部品番号:
312-2295774-SI3430DV-T1-BE3
製造メーカー部品番号:
SI3430DV-T1-BE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000

N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

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カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Vishay Siliconix
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
基本製品番号 SI3430
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)6V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 170mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (最大)±20V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)100 V
消費電力(最大) 1.14W (Ta)
その他の名前742-SI3430DV-T1-BE3CT
742-SI3430DV-T1-BE3DKR
742-SI3430DV-T1-BE3TR

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