IRFD210PBF
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
NOVA部品番号:
312-2263575-IRFD210PBF
製造元:
製造メーカー部品番号:
IRFD210PBF
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
N-Channel 200 V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 4-HVMDIP | |
| 基本製品番号 | IRFD210 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.5Ohm @ 360mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 140 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 1W (Ta) | |
| その他の名前 | *IRFD210PBF |
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