DMNH6012SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
NOVA部品番号:
312-2273068-DMNH6012SPSQ-13
製造メーカー部品番号:
DMNH6012SPSQ-13
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 | |
| 基本製品番号 | DMNH6012 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 11mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 35.2 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1926 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 1.6W (Ta) | |
| その他の名前 | DMNH6012SPSQ-13DICT DMNH6012SPSQ-13DITR DMNH6012SPSQ-13-ND DMNH6012SPSQ-13DIDKR |
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