BSZ123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
NOVA部品番号:
312-2282223-BSZ123N08NS3GATMA1
製造メーカー部品番号:
BSZ123N08NS3GATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 | |
| 基本製品番号 | BSZ123 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 40A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 12.3mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 33µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1700 pF @ 40 V | |
| 消費電力(最大) | 2.1W (Ta), 66W (Tc) | |
| その他の名前 | BSZ123N08NS3GINCT-ND BSZ123N08NS3GATMA1CT BSZ123N08NS3GINTR-ND BSZ123N08NS3GXT BSZ123N08NS3 G BSZ123N08NS3GINTR BSZ123N08NS3G BSZ123N08NS3GATMA1TR SP000443632 BSZ123N08NS3GINCT BSZ123N08NS3GATMA1DKR BSZ123N08NS3GINDKR-ND BSZ123N08NS3GINDKR |
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