SIJH112E-T1-GE3

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MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK

NOVA部品番号:

312-2279785-SIJH112E-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIJH112E-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

2,000

N-Channel 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® 8 x 8
基本製品番号	SIJH112
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	23A (Ta), 225A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	160 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	8050 pF @ 50 V
消費電力(最大)	3.3W (Ta), 333W (Tc)
その他の名前	742-SIJH112E-T1-GE3DKR 742-SIJH112E-T1-GE3TR 742-SIJH112E-T1-GE3CT