SSM3K329R,LF

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SOT-23F
基本製品番号	SSM3K329
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	U-MOSIII
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	3.5A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.8V, 4V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	126mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (最大) @ ID	1V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	1.5 nC @ 4 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SOT-23-3 Flat Leads
Vgs (最大)	±12V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	123 pF @ 15 V
消費電力(最大)	1W (Ta)
その他の名前	SSM3K329R,LF(B SSM3K329R,LF(A SSM3K329RLFCT SSM3K329R,LF(T SSM3K329RLFDKR SSM3K329RLF SSM3K329RLFTR

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