BSC027N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
NOVA部品番号:
312-2283357-BSC027N10NS5ATMA1
製造メーカー部品番号:
BSC027N10NS5ATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 23A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TSON-8-3 | |
| 基本製品番号 | BSC027 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.7mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.8V @ 146µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 111 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 8200 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 3W (Ta), 214W (Tc) | |
| その他の名前 | BSC027N10NS5ATMA1-ND BSC027N10NS5ATMA1CT BSC027N10NS5ATMA1TR SP001795088 BSC027N10NS5ATMA1DKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- SS26FLonsemi
- ISC027N10NM6ATMA1Infineon Technologies
- BSC112N06LDATMA1Infineon Technologies
- PMEG100V060ELPDZNexperia USA Inc.
- LTC2965IMS#PBFAnalog Devices Inc.
- LTST-C193KGKT-5ALite-On Inc.
- 2195764-1TE Connectivity AMP Connectors
- NSS1C201LT1Gonsemi
- BSC035N10NS5ATMA1Infineon Technologies
- IR1161LTRPBFInfineon Technologies
- BSC059N04LS6ATMA1Infineon Technologies
- MCP2518FDT-E/QBBMicrochip Technology
- BSC096N10LS5ATMA1Infineon Technologies
- IRS44273LTRPBFInfineon Technologies













