CSD19532KTTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
NOVA部品番号:
312-2283322-CSD19532KTTT
製造メーカー部品番号:
CSD19532KTTT
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:
N-Channel 100 V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DDPAK/TO-263-3 | |
| 基本製品番号 | CSD19532 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 200A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 5.6mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.2V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 57 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5060 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 250W (Tc) | |
| その他の名前 | 2156-CSD19532KTTT 296-43211-6 TEXTISCSD19532KTTT 296-43211-1 296-43211-2 |
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