BSP88H6327XTSA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-SOT223-4
基本製品番号	BSP88H6327
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	SIPMOS®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	350mA (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	2.8V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.4V @ 108µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	6.8 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	240 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	95 pF @ 25 V
消費電力(最大)	1.8W (Ta)
その他の名前	BSP88H6327XTSA1-ND BSP88H6327XTSA1CT BSP88H6327XTSA1DKR SP001058790 BSP88H6327XTSA1TR

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