GPI65030DFN
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
NOVA部品番号:
312-2278639-GPI65030DFN
製造元:
製造メーカー部品番号:
GPI65030DFN
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:
N-Channel 650 V 30A - Surface Mount Die
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | GaNPower | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Die | |
| テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 30A | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.2V @ 3.5mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 5.8 nC @ 6 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | Die | |
| Vgs (最大) | +7.5V, -12V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 241 pF @ 400 V | |
| 消費電力(最大) | - | |
| その他の名前 | 4025-GPI65030DFNTR |
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