FDMC86262P
MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
NOVA部品番号:
312-2280959-FDMC86262P
製造元:
製造メーカー部品番号:
FDMC86262P
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 150 V 2A (Ta), 8.4A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-MLP (3.3x3.3) | |
| 基本製品番号 | FDMC86262 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 2A (Ta), 8.4A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 307mOhm @ 2A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (最大) | ±25V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 150 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 885 pF @ 75 V | |
| 消費電力(最大) | 2.3W (Ta), 40W (Tc) | |
| その他の名前 | FDMC86262PDKR FDMC86262PTR 2156-FDMC86262P-OS FDMC86262PCT ONSONSFDMC86262P |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
FDG1024NZonsemi
FDMA86265Ponsemi
NCV4266ST50T3Gonsemi
NLAS4599DFT2Gonsemi- FSA4157P6Xonsemi
NVMFS5C673NLAFT1Gonsemi- FDG8842CZonsemi
NCS2561SQT1Gonsemi- NTJD4152PT1Gonsemi
NLAS3158MNR2Gonsemi- FDG6317NZonsemi
NCP300LSN20T1Gonsemi
NCP698SQ33T1Gonsemi
NCV551SN33T1Gonsemi
NTD5865NLT4Gonsemi
